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Silicium		Silicon wafers 125x125mm pseudosquare		-		-		offer

Offer ID: 609

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Published: 06.12.2006

Product: pseudosquare silicon wafers 125x125mm

Quantity: 100.000/month
Company: MarketMetal
Specifications:
125x125 mm pseudosquare silicon wafers production

Growth method: Cz

Elecrocoductivity type/dopant: P/boron

Crystallographic axis orientation: <100>

Resistivity (central point, on post-annealed samples): 0,5÷6,0 Ohm.cm

Resistivity radial spread: ≤15%

Carbon content: ≤1,0•1017cm-3

Oxygen content (k=2,45): ≤1,0•1018 cm-3

Minor carrier lifetime: ≥ 10 ms

Leneage, twins, swirls, EPD: not allowed, 2•103 cm-2

Pseudosquare side (in center): 125 ± 1,0 mm 

Difference of the sides’ length measured in center, for two relatively perpendicular directions: ≤0,3 mm 

Diameter difference for two relatively perpendicular directions: ≤0,2 mm 

Butt-end surface orientation deviation: ± 3 °

Angle between pseudosquare sides: 90 ± 1 °

Deviation of wafer surface orientation <100>: ± 3 °

Thickness: 240 ± 25 mm 

TTV: ≤ 50 mm 

Bow : ≤ 50 mm 

Edge profile: Without edge profile

Wafers annealing: Without annealing

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